技術(shù)編號(hào)：8363039
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體中，對(duì)于先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，應(yīng)力工程成為器件性能提升的最重要的因素之一。對(duì)于PM0S，鍺硅(SiGe)技術(shù)可以通過給溝道施加壓應(yīng)力來(lái)提高載流子遷移率。在鍺硅技術(shù)中，一般可以采用Sigma (Σ)和U形的溝槽形成相應(yīng)形狀的鍺硅層結(jié)構(gòu)，而Sigma形的鍺硅層通常可以獲得更強(qiáng)的壓應(yīng)力。例如，在PMOS的源漏區(qū)中形成選擇外延鍺硅層和硅覆蓋層。在現(xiàn)有技術(shù)中，Sigma形的溝槽通常采用先干法刻蝕再濕法刻蝕的方法形成，例如，先采用干法刻蝕工藝形成弓形(bowing...
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