技術編號：8341381
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在太陽能電池的生產過程中，刻蝕工序的目的是將硅片非擴散面及側面P-N結以化學方法腐蝕掉，但是存在兩種刻蝕不合格的可能第一種是欠刻，即側面的P-N結沒有徹底腐蝕掉，這樣成品電池片會因為邊緣漏電而導致轉換效率下降，同時電池片使用壽命明顯降低；第二種刻蝕不合格的情況是過刻，即工藝過程中不但腐蝕掉了背面及側面P-N結，而且將正面邊緣的P-N結也腐蝕掉，同時刻蝕的寬度超過Imm (與電池片正面電極設計有關，Imm為當前大多電池片電極距硅片邊緣的距離)，這樣P型硅仍能...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。