技術編號：8262483
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。以III族氮化物為代表的第三代半導體具有高禁帶寬度、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度以及強極化等優異的性質，特別是基于AlGaN/GaN異質結構的高迀移率晶體管(HEMT)具有開關速度快、導通電阻低、器件體積小、耐高溫、節能等優異特性，有望在下一代高效功率電子器件領域得到廣泛使用。在以藍寶石、碳化硅、硅為襯底材料的GaN基異質結構材料中，Si上GaN基異質結構材料及器件因其在大尺寸、低成本以及與現有Si工藝兼容等方面具有明顯的優勢，在太陽能逆變器、混合動力汽...
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