技術編號：8262227
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。化學氣相沉積法（ChemicalVaporDeposition,CVD)可以在金屬襯底上生長大面 積的單層或多層石墨烯薄膜，所得石墨烯質量好、易于轉移，是目前制備石墨烯薄膜的常用 方法，被廣泛用于制備石墨烯晶體管和透明導電薄膜。 CVD法制備的石墨稀制件的外表面會存在有機物和殘留石墨稀，殘留石墨稀是由CVD法在金屬基底兩側生長而來，有機物是由在轉移到目標基底PET襯底上使用的聚合物 粘結劑而來的。因此，在氧化腐蝕金屬基底或電化學剝離金屬基底之前，需要對轉移...
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