技術編號：8224810
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。微波晶體管的主要器件類型有同質結雙極型晶體管(BJT)、異質結雙極型晶體管(HBT)、金屬半導體場效應晶體管(MESFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和高電子迀移率晶體管(HEMT)等。GaN材料的禁帶寬度大(Eg = 3.4eV)，臨界擊穿場強(3.3MV/cm)較大，制作電子器件具有耐高溫、高壓的特點；它的電子飽和漂移速度達到2.5X107cm/s，適宜于制作高頻電子器件；它與AlGaN材料形成的異質結構中可形成面密度高達113Cn...
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