技術編號：8213713
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 化學機械拋光（CMP)是目前最普遍的獲得半導體材料表面平整技術。它是機械摩 擦和化學腐蝕相結合的工藝，兼顧了兩者的優點，可以獲得比較完美的晶體拋光表面。近年 來，半導體技術向著大尺寸硅拋光片的方向發展，同時也對表面顆粒度、幾何參數、邊緣及 表面的粗糙度提出了更加嚴格的要求。邊緣拋光也是化學機械拋光，經過邊緣拋光后硅片 邊緣的損傷層可以像表面拋光一樣被去除，得到光滑的硅片邊緣，可以使硅片的以下幾個 方面得到明顯的改善（1)防止邊緣破裂（2)防止熱應力造成的...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。