技術(shù)編號：8201747

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導體器件的基板所使用的硅晶片及硅晶片的制造方法。另外，本發(fā)明還涉及一種為了將切割利用切克勞斯基法(以下稱為"CZ"法)制造的單晶硅塊而得到的硅晶片應(yīng)用于半導體器件而實施的熱處理方法。背景技術(shù)隨著近年來的半導體器件的高集成化，對作為其基板使用的硅基片的品質(zhì)要求也愈加嚴格。特別是強烈要求在硅晶片的器件活性區(qū)域降低原生缺陷、具備高的吸氣效應(yīng)。在原生缺陷，例如有被稱為COP (結(jié)晶引起的微粒)、LSTD (激光散射X線斷層缺陷)的過飽和的空穴型點缺陷的凝聚體、成長并成為OSF (氧化感應(yīng)疊層缺陷)及...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。

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