技術編號：8200141
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明屬于材料領域，涉及一種。 背景技術碲化鉛(PbTe)具有非常優(yōu)良的熱電特性、光電特性和紅外光學特性，廣泛應用于熱電 器件、紅外光學元件、紅外薄膜器件和半導體探測器等。在薄膜方面，PbTe材料是IV-VI族 窄禁帶半導體中唯一的離子鍵化合物，在紅外譜段的折射率高達5.5，在目前能實際使用的紅 外鍍膜材料中是最高的，可以有效減少紅外光學薄膜器件的膜層數(shù)，降低應力，提高透射率。 同時，PbTe與ZnS、 ZnSe等低折射率材料膜層有良好的應力配合，可使膜層的牢固度好，光 學性質穩(wěn)定。PbTe薄膜通常釆用真空...
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