技術編號：8195671
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域、本發明涉及金屬有機物化學氣相外延MOCVD生長設備技術領域，為一種用于MOCVD設備GaN外延MO源供給系統，特別適合于UV-LED，UV-LD的GaN及其相關材料生長的MOCVD設備系統，可用于使用具有揮發性的高純金屬有機物MO源的所有CVD，HVPE以及MBE等半導體材料生長設備之中。背景技術MOCVD是以III族、II族元素的金屬有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材...
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