技術編號：8193961
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及多晶硅鑄錠領域，尤其涉及多晶硅錠及其制備方法、多晶硅片和多晶硅鑄錠用坩堝。背景技術目前，多晶硅錠的制備方法主要為采用GTSolar所提供的定向凝固系統法(簡稱DSS)爐晶體生長技術，該方法通常包括加熱、融化、凝固長晶、退火和冷卻等步驟。在凝固長 晶的過程中，伴隨著坩堝底部的持續冷卻，熔融狀態的硅料自發形成隨機形核并且隨機形核逐漸生長。但由于初始形核沒有得到控制，形核過程中容易產生位錯，導致晶向無規律，晶界不規則，晶粒不均勻(從微米級到十幾厘米都有)，因此通過該方法制備得到的多晶硅錠轉換效率不高，質...
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