技術編號：8192485
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及一種物理氣相沉積法生長大尺寸碳化硅單晶的石墨坩堝及其應用，屬于單晶生長技術領域。背景技術碳化硅(SiC)單晶材料是第三代寬帶隙半導體材料的代表，具有寬禁帶、高熱導率、高電子飽和遷移速率、高擊穿電場等性質，與以硅為代表的第一代半導體材料和以GaAs 為代表的第二代半導體材料相比，有著明顯的優越性，被認為是制造光電子器件、高頻大功率器件和高溫電子器件等理想的半導體材料。在白光照明、光存儲、屏幕顯示、航天航空、高溫輻射環境、石油勘探、自動化、雷達與通信、汽車電子化以及電力電子等方面有廣泛應用。碳化硅單晶...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。