技術編號：8181489
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及，特別涉及一種通過控制生長溫度及生長氣壓來制備高質量碲化鋅同質外延層的方法。背景技術碲化鋅(ZnTe)是一種重要的I1-1V族化合物半導體材料。ZnTe是直接帶隙，室溫下禁帶寬度為2.26eV，因此在綠光LED、太赫茲探測器、太陽電池和光波導等光電器件中有很好的應用前景。目前，已經成功利用鋁擴散技術制備出室溫發光波長為550nm的ZnTe發光二極管(LED)。確立高質量ZnTe外延層的制備方法對生產高效的LED和激光二極管(LD)有著至關重要的作用。金屬有機化學氣相外延(MOVPE)工藝由于具有外...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。