技術編號：8135147
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及一種制造電子器件的方法，具體地說，涉及在凹槽中填滿銅的后端金屬化工藝，其包括在凹槽表面上形成電鍍基底以進行所述銅的后續電沉積的步驟。然而，不利的是，當這種方法應用于具有很大的高寬比值的凹槽的晶片時，比如對于直徑小于0.18微米的凹槽來說長寬比大于4，，會使電鍍基底層的質量和完整性受到限制。電鍍基底層往往被證明是不夠厚或不夠均勻。這種厚度和均勻性的變化妨礙了在后續的電沉積過程中凹槽被銅完全填滿，因此在結構中會留有無銅的空洞。國際專利申請WO-A-99/47731涉及一種金屬鑲嵌工藝，其中構成電鍍基底...
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