技術(shù)編號(hào)：8112208
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域和方法。背景技術(shù)常常要求阻抗匹配電路使得在兩個(gè)或更多不同的值中間動(dòng)態(tài)變化的 負(fù)載阻抗與預(yù)定源阻抗匹配。這樣的動(dòng)態(tài)變化的負(fù)載阻抗可例如出現(xiàn)在濺射磁控管(sputtering magnetron)中。在一些濺射石茲控管中，磁場(chǎng)在兩個(gè) 或更多配置中間切換，來控制等離子體室中的等離子體的分布，以用靶材 (target material)更均勻地涂覆基底。這些不同的磁場(chǎng)配置使負(fù)載的阻抗—— 等離子體的阻抗在兩個(gè)或更多不同的值中間變化。在一些情況下，負(fù)載阻 抗在少至30ms的時(shí)間內(nèi)變化。匹配動(dòng)態(tài)變化的負(fù)載阻抗的一個(gè)傳統(tǒng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。