技術編號：8110069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及一種坩堝用保護墊片及使用了該坩堝用保護墊片的坩堝 裝置等，詳細地說，涉及一種具備外側坩堝和內側坩堝的坩堝裝置及配置 這兩個坩堝之間、用來保護兩坩堝而使用的坩堝用保護墊片等。背景技術作為獲得單晶硅錠的方法，已知懸浮區域熔解法(FZ法)和切克勞斯 基單晶拉制法(CZ法)，不過， 一般采用CZ法。利用該CZ法制造硅單晶 等時，所使用的坩堝具備利用加熱器等加熱的外側坩堝和收容硅單晶等原 材料的內側坩堝。通常，上述內側坩堝從與硅的反應性、純度問題而言采 用石英制坩堝，另一方面，上述外側坩堝從純度、耐熱性及強...
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