技術編號：80957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明主要用于檢測粒子輻射對CMOS集成電路的影響，是外掛于衛星上數據采集系統上的一種探測器。 背景技術隨著航天技術的發展，MOS微電子器件和電路在星用計算機、測控等電子系統中的應用愈加廣泛。但眾所周知的空間輻射環境影響卻一直是威脅MOS結構電學特性的重要原因。最典型的是，電離輻射會引起MOS電路閾電壓的漂移，導致漏電流增加，電路功耗增大，嚴重的會引起電路邏輯錯誤和功能喪失。因此，為配合地面的MOS電路抗輻射加固技術的研究，開展空間實地的輻射探測，對于掌握國產加固與非加固工藝制造的MOS電路在空間的實際抗...
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