技術編號：8045016
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及半導體器件與工藝技術領域，尤其涉及一種。背景技術以GaN為代表的化合物半導體材料作為直接帶隙的寬禁帶半導體材料，在藍、綠、 紫、紫外及白光發光二極管(LED)、激光二極管(LD)、紫外光探測器和功率電子器件等光電子器件和電子器件以及特殊條件下的半導體器件等領域中有廣泛的應用前景，吸引著人們的濃厚興趣。由于目前對于絕大多數的化合物半導體而言，還不能得到商用高質量大塊的襯底材料，因此化合物半導體材料一般采用異質襯底外延生長。但是，由于半導體材料和通常用作襯底的藍寶石(或者Si)襯底之間有較大的晶格失配...
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