技術(shù)編號(hào)：7520059

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本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)。背景技術(shù)作為用于轉(zhuǎn)換無(wú)線通信中使用的高頻信號(hào)的路徑的開(kāi)關(guān)，例如，使用神化鎵基化合物半導(dǎo)體的高電子遷移率晶體管(HEMT)。然而，化合物半導(dǎo)體晶片的價(jià)格相對(duì)較高，并且目前尚未提供大孔徑的晶片，因此，價(jià)格上沒(méi)有優(yōu)勢(shì)。此外，近年來(lái)，為了降低開(kāi)關(guān)的價(jià)格，例如，已經(jīng)研發(fā)了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開(kāi)關(guān)。由于襯底的電阻較低，所以普通的CMOS (體CM0S，bulk CMOS)可造成功率泄漏，并且其開(kāi)關(guān)性能會(huì)劣化。因此，例如，在使用CMOS開(kāi)關(guān)時(shí)...
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該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。

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