技術編號:7514011
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及集成電路技術。 背景技術當超過晶體管裝置的結擊穿的電壓出現在集成電路中時,驟回已經成為集成電路中 的一個問題。目前通過提供此項技術中已知的保護環結構來處理此問題。保護環結構只 是將驟回減到最小但不會消除驟回。在例如非易失性存儲器的電路中,使用高壓P溝道和N溝道MOS晶體管裝置來形 成閂鎖電路以存儲寫入數據。高壓N溝道驅動器是漏的,導致備用期間的備用電流流動。 這還導致閂鎖電路在高壓操作期間翻轉狀態,從而導致數據破壞。高壓閂鎖電路中的翻轉階段和數據...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發人員的辛勤研發付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。
該類技術注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。