技術(shù)編號(hào)：7469187

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本發(fā)明涉及電力電子，具體涉及一種應(yīng)用于直接串聯(lián)型IGBT的改進(jìn)型RCD緩沖電路。背景技術(shù)IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)綜合了 GTR(電力晶體管)和 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金氧半場(chǎng)效晶體管)的優(yōu)點(diǎn)，具備了輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)速度快，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，通態(tài)壓降低等諸多優(yōu)良特性，因此在大功率電能變換領(lǐng)域中得到了廣...
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