技術編號：7263953
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明提供包含鍺為主的溝道層的晶體管裝置制造方法與微電子裝置，該方法包括形成柵極結構于鍺為主的溝道層上，鍺為主的溝道層位于基板上，且柵極堆疊位于鍺為主的溝道層其相反兩側的鍺為主的源極區與鍺為主的漏極區之間；形成蓋層于鍺為主的源極區與鍺為主的漏極區上，且蓋層包括硅與鍺；沉積金屬層于蓋層上；進行溫度步驟，使至少部分蓋層轉變為金屬鍺硅化物，金屬鍺硅化物不溶于蝕刻品，且蝕刻品用以溶解金屬層；以蝕刻品自基板選擇性地移除未消耗的金屬層；以及形成金屬前介電層。本發明提供...
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