技術編號:7262702
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明提供了一種,包括提供包含有第一材料層與第二材料層的半導體襯底;依次形成氧化層與氮化層;進行第一次刻蝕,以在所述氮化層、氧化層、第一材料層和第二材料層上形成第一淺溝道隔離凹槽;在所述第一淺溝道隔離凹槽中,對所述第二材料層進行第二次刻蝕,形成第二淺溝道隔離凹槽;填充隔離材料;去除所述氮化層,形成淺溝道隔離結構。本發明通過對第二材料層進行第二次刻蝕,在保證源/漏區域有效面積不變的情況下,擴大淺溝道隔離結構底部的寬度,增加了淺溝道隔離結構的隔離效果,在一定程...
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