技術(shù)編號:7261892
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用以減少圖像記憶效應(yīng)的帶負電荷層。一種圖像傳感器像素包含安置于半導(dǎo)體層中的具有第一極性摻雜類型的光電二極管區(qū)。具有第二極性摻雜類型的釘扎表面層安置于所述半導(dǎo)體層中的所述光電二極管區(qū)上方。所述第二極性與所述第一極性相反。第一極性電荷層接近所述光電二極管區(qū)上方的所述釘扎表面層而安置。觸點蝕刻停止層接近所述第一極性電荷層而安置于所述光電二極管區(qū)上方。所述第一極性電荷層安置于所述釘扎表面層與所述觸點蝕刻停止層之間,使得第一極性電荷層抵消在所述觸點蝕刻停止...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。