技術編號：7255020
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了一種FLASH閃存器件，在頂層氧化層中設置擦除窗口，將擦除窗口內的第一頂層氧化層設置比較薄、而擦除窗口外的第二頂層氧化層厚度保持較厚，從而能夠通過位于擦除窗口中的第一頂層氧化層實現對浮柵中電子的擦除，能大大減輕擦除時對底層氧化層的損傷；同時擦除窗口區域內的多晶硅控制柵到半導體襯底之間的整體厚度減薄，從而能減少器件擦除時在多晶硅控制柵上所加的電壓，從而能進一步減輕擦除時對底層氧化層的損傷；底層氧化層的損傷的減輕，能提高器件的電荷保持能力并提高數據...
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