技術(shù)編號：7247181

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本發(fā)明提供，涉及半導(dǎo)體。該方法包括步驟S101提供襯底，在所述襯底上形成低k介電材料層；步驟S102對所述低k介電材料層進(jìn)行紫外光固化處理；步驟S103對所述低k介電材料層進(jìn)行氦等離子體處理，并利用四甲基硅烷對所述低k介電材料層進(jìn)行處理；步驟S104在所述襯底上形成第一硬掩膜。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，通過在形成低k介電材料層的步驟之后，增加對低k介電材料層進(jìn)行氦等離子體處理以及四甲基硅烷處理的步驟，抑制了低k介電材料層對水分的吸收，在一定程度上避免了...
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