技術編號：7247094
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了，包括如下步驟1準備一片硅片，該硅片的參數由器件設計性質決定；2將硅片做表面清洗步驟后，熱生長或化學氣相淀積一層致密度為A1的第一氧化層；3采用化學氣相淀積的方法，在第一氧化層上淀積一層致密度為A2的第二氧化層；第二氧化層的致密度A2應小于第一氧化層的致密度A1；4在第二氧化層上涂布光刻膠，并光刻定義出場氧化層的圖形；5采用濕法刻蝕刻穿第二氧化層，繼續采用濕法刻蝕直至刻穿第一氧化層；6去除光刻膠，形成最終的場氧化層圖形。本發明通過對場氧化層刻蝕...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。