技術編號：7247067
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種場效應晶體管的柵電極。場效應晶體管的示例性結構包括襯底；柵電極，位于具有第一頂面和側壁的襯底的上方；源極/漏極(S/D)區，至少部分設置在柵電極一側的襯底中；間隔件，位于分布在柵電極和S/D區之間的側壁上；以及接觸蝕刻停止層(CESL)，緊鄰間隔件且進一步包括在S/D區上方延伸的部分，其中，該部分的第二頂面與第一頂面基本共面。專利說明場效應晶體管的柵電極[0001]本發明涉及集成電路制造，更具體地，涉及一種具有柵電極的場效應晶體管。背景技術[...
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