技術編號：7246603
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了一種漂移區具有橫向濃度梯度的LDMOS管，該LDMOS管的場極板分為耗盡區和連接區兩部分，耗盡區與柵相連，且摻雜類型與柵相反；連接區靠近漏，并與漏極相連，且摻雜類型與柵相同。本發明還公開了上述LDMOS管的制造方法。本發明通過將場極板分為摻雜類型不同的耗盡區和連接區兩部分，并和柵一起構成NPN（或PNP）結構，使柵、漏之間的電壓差能連續分布在場極板的耗盡區內，從而減少了場極板與漂移區尤其是漏之間的電壓差，消除了由場極板引起的熱載流子效應。專利說...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。