技術編號：7245447
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開的領域涉及具有減小的未接合區(unbonded region)的絕緣體上娃結構的制備，具體地，涉及用于通過使處理晶片(handle wafer)和供體晶片(donor wafer)的滾降量(roll-off amount, ROA)最小化來制造這樣的結構的方法。背景技術絕緣體上硅結構(“S0I結構”，在本文中也可稱為“SOI晶片”或“SOI襯底”)一般包括處理晶片、硅層(也稱為“器件層”)以及位于處理晶片與硅層之間的電介質層(例如氧化物層)。與在體硅...
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