技術編號：7245125
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種，其中所述鰭式場效應管，包括半導體襯底，位于所述半導體襯底上的鰭部；橫跨所述鰭部的表面和側壁的金屬柵極結構；位于所述半導體襯底表面的介質層，所述介質層覆蓋所述鰭部和金屬柵極結構，所述介質層的表面高于金屬柵極結構的頂部表面；位于所述介質層中暴露所述金屬柵極結構頂部表面的第二凹槽；填充滿所述第二凹槽的隔離層，所述隔離層中具有空氣隙。隔離層中的空氣隙減小了金屬柵極和源漏接觸區之間的寄生電容。專利說明[0001]本發明涉及半導體制作領域，特別涉及一種。背景技術...
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