技術編號：7244372
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了一種，包括步驟1）肖特基通孔的刻蝕；2）在肖特基通孔的兩側、內壁以及底部形成第一層阻擋層；3）在第一層阻擋層之上形成金屬層；4）在金屬層之上，形成第二層阻擋層；5）金屬鎢填充肖特基通孔；6）回刻金屬鎢。本發明通過采用化學氣相沉積代替等離子濺射成膜，有效地提高了通孔的臺階覆蓋率，同時采用金屬層鋁硅酮和第二層阻擋層的形成，能夠有效提高大功率器件特性，減小漏電電流，延長器件使用壽命，降低器件使用功率。專利說明[0001]本發明涉及一種半導體領域中通孔...
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