技術編號：7236620
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造，特別涉及一種雙應力膜互補金屬氧化物半導體晶體管(CMOS)的制造方法。 背景技術隨著半導體制造技術的不斷發展，金屬氧化物半導體晶體管的尺寸 也曰益減小，但對其可靠性能和響應速率等物理性能有了更高的要求。金屬氧化物半導體晶體管中影響響應速率的重要因素是載流子遷 移率，在同樣的驅動電壓下，具有大的載流子遷移率的晶體管具有較快 的響應速率，人們總是通過各種方法來提高金屬氧化物半導體晶體管的 載流子遷移率以獲得更高的響應速率。目前，業界已經發...
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