技術編號：7235678
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及相變化存儲器，特別涉及改善相變化存儲器的擦寫可靠度的 方法。背景技術相變化存儲器有希望成為下一世代的存儲器，相變化存儲器使用硫化物半導體(chalcogenide semiconductor)來儲存數據，上述硫化物半導體具有晶 相與非晶(amorphous)相因而具有相變化的能力。在晶相中，上述相變化材 料具有低電阻率；而在非晶相中，上述相變化材料則具有高電阻率。上述相 變化材料在非晶相時的電阻率，通常大于在晶相時的電阻率的1000倍，因而 使得...
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