技術編號：7233740
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。圖2A示出如可從圖2C截取的I和I之間產生的結構的剖面視 圖。如所能看到的，在半導體基片1的表面10上，設置氮化硅層 14。此外，圖2B示出如可從圖2C截取的II和II之間產生的結構的 剖面視圖。如所能看到的，主動區部分11被填充有絕緣材料13的 絕纟彖溝槽12^黃向限定。在主動區部分ll的頂部，i殳有氮4b石圭部分 14。如所能看到的，絕緣溝槽不具備完全呈矩形的側壁。更具體地， 絕緣溝槽略樣t呈^l,形。因此，主動區11的下部的寬度大于其上部 的寬度。此...
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