技術編號：7232711
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及微電子，尤其涉及一種多介質復合隧穿層的納米 晶浮柵存儲器及其制作方法。背景技術浮柵結構存儲器是目前被大量使用和普遍認可的主流存儲器類型，是 一種十分重要的半導體元器件，被廣泛應用于電子和計算機行業。傳統的 浮柵結構存儲器由于其自身結構與材料選擇的要求，具有快速寫入/擦除操 作和長時間高穩定性存儲相沖突的局限性，且隨著技術節點的縮小，這一 矛盾并沒有得到明顯改善，進而限制了浮柵存儲器的發展。隨著特征尺寸進入到納米級，如何適應工藝的發展，在減小存儲單...
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