技術編號：7231868
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種存儲器，其包括存儲元件，該存儲元件由將鐵磁層的磁化狀態作為信息而存儲的存儲層以及具有固定磁化方向的磁化固定層構成，其中，電流沿垂直于膜表面的方向流動來注入自旋極化電子，以改變存儲層的磁化方向。本發明還涉及一種可適合用作非易失性存儲器的包括存儲元件的存儲器。背景技術 高速與高密度DRAM已廣泛用作諸如計算機的信息裝置中的隨機存取存儲器。然而，由于DRAM是一種當電源被切斷時會擦除信息的易失性存儲器，所以需要切斷電源時不會擦除信息的非易失性存儲器...
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