技術編號：7230808
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明是有關于一種半導體結構的制造方法，且特別是有關于一種L 型。背景技術隨著電腦與電子產品功能的加強，應用電路亦日趨復雜，基于成本與 穩定性的考量，積體電路內所要求電晶體的密度也就大大地增加。但是要 在一個積體電路上擁有很大的密度，并非單純地減少積體電路內元件的大 小比例即可達到，因為布局大小比例的改變， 一則要受到設計準則(Design Rule)與制程上的限制； 一則亦需詳加考慮元件物理特性上的改變。請參照圖1,以金氧半導體電晶體(MOS)為例，基底...
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