技術編號：7227977
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體器件及其制作方法，特別涉及金屬-絕緣-金屬型電容 器、存儲器單元及其形成方法。背景技術在超大規模集成電路中，電容器是常用的無源元件之一。電容器經常整合在雙極(Bipolar)晶體管或互補式金屬氧化物半導體(CMOS， Complementary Metal Oxide Semiconductor)晶體管等有源元件之中。目前制造的電容器可分成 以多晶硅為電極以及以金屬為電極兩種，以多晶硅為電極會有載子缺乏的問 題，使得跨越電容器兩端的表面電壓...
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