技術編號：7213558
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于制造半導體器件的方法，具體地涉及五溝道鰭式(fin)晶體管及其制造方法。背景技術 由于動態隨機存取存儲器(DRAM)高度地集成，具有典型堆疊結構的柵的平面晶體管，即該晶體管具有堆疊結構的柵，被稱作平面晶體管。平面晶體管具有水平溝道，由此可發生短溝道效應。在有源區與柵之間的接觸面積也減少，由此晶體管的操作電流能力退化。因而，漏電流可增加，而且半導體器件的刷新特性和可靠性降低，由此使得難以減少半導體器件的尺寸。為了解決上述限制，將有源區制成以鰭型...
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