技術(shù)編號：7213401

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本發(fā)明涉及CMOS工藝，更具體地說，涉及一種0.8微米CMOS制 作工藝。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制作領(lǐng)域中，0.8微米的半導(dǎo)體制作工藝一般使用P型單阱 單層多晶硅工藝技術(shù)，該種工藝流程會帶來N型襯底無法彌補(bǔ)的缺陷ESD 靜態(tài)電壓僅有1500伏，另外單層多晶硅EEPROM結(jié)構(gòu)的芯片面積大，成 本高，可靠性差，儲存耐久性差。于是就需要一種可以克服上述問題的0.8微米CMOS工藝。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在提供一種成本低，可靠性高，儲存耐久性好的0.8微米 CMOS工藝。根據(jù)...
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