技術編號：7212330
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于生產III族氮化物化合物半導體晶體的助熔劑法，其中利用助熔劑來生長III族氮化物化合物半導體晶體。本發明方法有效減少半導體晶體的位錯或裂紋密度以及半導體晶體的生產成本。背景技術 迄今已知通過助熔劑法來生長III族氮化物化合物半導體晶體的技術包括例如在下列文獻中所公開的那些技術日本專利申請公開(kokai)No.H11-060394、2001-058900、2001-064097、2004-292286和2004-300024。以上現有生產方法...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。