技術編號：7211309
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體制造工藝方法，尤其涉及一種硅基硅/鍺納米晶粒 的制備方法。背景技術近年來硅、鍺納米晶粒發光特性研究取得了長足進步。電注入載流子 在硅、鍺量子點中復合，得到了紅光發射，但其發光波長難于控制、發光 效率低的缺點仍沒有解決。同時，由于受晶粒帶隙的限制，其發光一般位 于紅、紅外區，作為信息存儲系統的光源，這顯然不利。提高發光效率， 縮短發光波長，是該類材料努力的方向。目前有一種硅基硅納米晶粒的制備方法，是在硅襯底上通過熱氧化制 備一層二氧化硅薄膜，...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。