技術編號：7210723
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明是有關于一種薄膜電晶體及其制造方法，特別是有關于一種SRAM用的雙垂直通道薄膜電晶體(Doubele Vertical Channel Thin FilmTransistor，DVC TFT)及其制造方法。由于單位組件容量增加時，芯片中的持機電流也會隨著增加，故小的OFF電流就變得愈來愈重要，所以在傳統TFT的制程中，常使用雙閘極(dualgate)、LDD結構以及氫化制程等方法來降低OFF電流。然而，上述方法雖可降低多晶硅TFT的OFF電流，但仍存...
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