技術編號：7209415
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及利用了氮化物半導體的場效應晶體管，該氮化物半導體能夠適用于例如在空調器等民用設備的電源電路上利用的功率晶體管。背景技術氮化物半導體與Si和GaAs等相比，禁帶寬度、絕緣擊穿電場、以及電子的飽和漂移速度均大。并且，對于形成在以(0001)面為主面的襯底上的AKiaN/GaN異質結構，在異質界面，因自發極化以及壓電極化而產生二維電子氣，即使不摻雜也會得到IXlO13cnT2以上的薄膜載流子濃度。近些年，將這樣高濃度的二維電子氣作為載流子來利用的高電子...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。