技術編號：7205602
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種在硅基板表面上形成長寬比較大的孔或深槽的， 更詳細地講，本發明涉及一種在蝕刻處理從開始到結束，能保持加工表面內的均等分布狀 態的。背景技術在現有技術中，人們廣泛使用等離子蝕刻(干蝕刻)法對硅基板表面進行蝕刻加 工。在室溫環境下，由于呈原子(原子團)狀態的氟會自發地與硅產生化學反應，從而可獲 得較高的蝕刻速度，所以在蝕刻硅基板時，作為蝕刻氣體，人們較多使用SF6、NF3、COF2, XeF2 等含氟氣體。但是，由于使用含氟蝕刻氣體對硅基板進行干...
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