技術編號：7183574
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種半導體器件、制造半導體器件的方法和閃存器件。 背景技術隨著信息處理技術的發展，出現了高度集成的閃存器件。特別是出現了具有SONOS 結構的閃存器件。閃存器件的集成度增加以后，溝道區的長度變短，并且編程和擦除的效率 下降。發明內容本發明的實施例涉及一種半導體器件、制造半導體器件的方法和閃存器件，所述 半導體器件彌補了溝道區長度短的不足，提高了器件特性。根據實施例，半導體器件可包括以下部件的至少之一半導體襯底；柵極，形成在 所述半導體襯底上和/或...
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