技術編號：7182512

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本發明涉及磁性薄膜材料，特別是涉及高靈敏磁電阻薄膜材料及其制備方法。背景技術各向異性磁電阻(AMR)坡莫合金薄膜材料(NiFe)可用來制作計算機硬盤讀頭、磁 性隨機存儲器和各類磁傳感器等應用器件，廣泛地用于自動化技術、家用電器、導航系統、 移動通訊、大容量存儲器和計算機等領域，尤其是在進行地磁測量時，AMR薄膜材料較巨磁 電阻(GMR)和隧道磁電阻(TMR)薄膜材料具有更好的方向敏感性，且各向異性磁電阻率與 角度有定量關系P ( 9 ) = P ± +A ...
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