技術編號：7181504
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種用含氟化氫的溶液處理半導體晶片、干燥并隨后用含臭氧氣體對半導體晶片的表面進行氧化的方法。 背景技術已經有一系列用于清潔半導體晶片，如硅晶片的清潔方法被開發出來。所述清潔 方法之一是基于用氟化氫(HF)水溶液，隨后用臭氧(03)處理晶片表面。在用HF處理期間， 從表面上去除原生氧化層。通過臭氧處理在其上形成新的氧化層。從而可以從晶片表面去 除牢固附著的顆粒和其他雜質。在HF中的酸性處理也可以非常有效地從晶片表面去除金 屬離子。 US571420...
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