技術編號：7180522
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及通過蝕刻處理工序、co2等離子體處理工序等制造半導體器件的半導體器件的制造方法和半導體器件的制造裝置。 背景技術以往，在半導體器件的制造工序中，通過執行對在半導體晶片等基板上形成的層 間絕緣膜等進行蝕刻的蝕刻工序、和通過使用氧等離子體或C02等離子體進行灰化處理來 除去在上述蝕刻工序中作為掩模使用的光致抗蝕劑層的灰化處理工序等一系列工序，來形 成規定的電路圖形。 另外，近年來，作為上述的層間絕緣膜，能夠使用與以往使用的SiOj莫相比介電 常數低的...
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