技術(shù)編號：7177397

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本發(fā)明涉及。更具體地，所公開的方法可形成穩(wěn)定落著插塞多晶硅(stable landing plug poly)(LPP)，其方式是進行層間絕緣薄膜與作為插塞材料多晶硅層的化學(xué)機械拋光(CMP)工藝，利用含有氧化劑的酸性漿料，使氧化物薄膜與多晶硅層的表面凹陷現(xiàn)象降至最低。背景技術(shù) 為提供小、高容量及高度集成的半導(dǎo)體器件，在形成半導(dǎo)體器件的晶體管、位線及電容器之后，必須進行接觸插塞的形成工藝，其可電連接至各器件，即晶體管、位線及電容器。一般而言，當進行接觸插塞...
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